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        我國創“多重鰭高電晶體” 晶片多塞2千萬顆還更省電

        發布時間:2013-12-11 10:21:40    點擊:
          半導體界的戰爭日新月異,製程也逐漸從傳統平面式轉為立體。繼國際大廠推出彎曲式「鰭式場效電晶體」后,國研院也選在3日發表領先全球的製程技術,做出彈性更高、體積更小的「多重鰭高電晶體」,大幅提升國內半導體廠商的國際競爭力。
         

          國研院研發出彈性更高、體積更小的「多重鰭高電晶體」。

          奈米元件實驗室表示,「鰭式場效電晶體」(FinFET) 因為形狀有如魚鰭而得名,除了體積小較為省電,還可擴充晶片上可容納的電子元件密度,并讓不同大小的電流「各住適合的房型」,達到晶片空間利用的最佳化,藉此提升運作效能。

          國研院指出,半導體積體電路的製造,可說是一場尺寸微縮與效能提升的競賽,半導體元件最先進的製程技術,約可在1平方公分的硅晶片上,容納約1億顆電晶體;「鰭式場效電晶體」技術一旦推出,不只讓設計更具彈性,還可在同樣面積增加約2千萬顆電晶體,等于節省了兩成的製作成本。

          國研院還說,此技術已經申請專利,且自12月起,將為國內學術界開放製作平臺,方便其研發各種元件雛型與製程技術,讓學術前瞻研究與產業接軌;預估在5年內,就能協助業界量產「多重鰭高的鰭式場效電晶體」

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